HSA-X-S-1G4-SI具有GHz放大器技術(shù)的光電探測(cè)器技術(shù)規(guī)格
發(fā)布時(shí)間：2022/9/7
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HSA-X-S-1G4-SI具有GHz放大器技術(shù)的光電探測(cè)器技術(shù)規(guī)格
通過(guò)將*先進(jìn)的光電二極管與經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的出色的FEMTO GHz放大器技術(shù)相結(jié)合，我們?cè)O(shè)計(jì)了一系列具有**性能的新型光電接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的帶寬上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光電二極管，光譜范圍分別為320至1000nm和900至1700nm。 由于采用先進(jìn)的放大器設(shè)計(jì)，ZUI小NEP僅為11pW√Hz，互阻抗為5 x 103 V / A. 這允許以GHz速度測(cè)量μW范圍內(nèi)的光功率水平。
產(chǎn)品應(yīng)用
光譜
快速脈沖和瞬態(tài)測(cè)量
光學(xué)觸發(fā)
用于示波器和A / D轉(zhuǎn)換器的光學(xué)前端（O / E轉(zhuǎn)換器）
Model | HSA-X-S-1G4-SI | HSPR-X-I-1G4-SI inverting | HSA-X-S-2G-IN | HSPR-X-I-2G-IN inverting |
Photodiode | ? 0.4 mm Si-PIN | ? 0.4 mm Si-PIN | ? 0.1 mm InGaAs-PIN | ? 0.1 mm InGaAs-PIN |
Spectral Range | 320 ... 1000 nm | 320 ... 1000 nm | 900 ... 1700 nm | 900 ... 1700 nm |
Bandwidth (?3 dB) | 10 kHz ... 1.4 GHz | 10 kHz ... 1.4 GHz | 10 kHz ... 2 GHz | 10 kHz ... 2 GHz |
Rise/Fall Time (10 % - 90 %) | 250 ps | 250 ps | 180 ps | 180 ps |
Transimpedance Gain | 5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A inverting | 5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A inverting |
Conversion Gain | 2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) | 2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) | 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm) | 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm) |
NEP (@ 100 MHz) | 32 pW/√Hz (@ 760 nm) | 19 pW/√Hz (@ 760 nm) | 16 pW/√Hz (@ 1550 nm) | 11 pW/√Hz (@ 1550 nm) |
Output VSWR | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 |
Maximum Output Voltage @ 50 Ω | 1.9 VPP | 2.0 VPP | 1.9 VPP | 2.0 VPP |
Output Noise | 3.6 mVRMS | 2.5 mVRMS | 3.6 mVRMS | 2.5 mVRMS |
Available Input Options | Free space (FS) or FC | Free space (FS) or FC | Free space (FS) or FC | Free space (FS) or FC |
